【武汉都市圈】重磅！九峰山实验室试产全球首款8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆

晴空霹雳李小爷

全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，在湖北九峰山实验室下线。
8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，是目前全球综合性能最优的光电集成芯片。
薄膜铌酸锂以低传输损耗等突出性能，在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。
但由于铌酸锂材料脆性大，尺寸越大越难制作，目前，业界对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸以及6寸晶圆，这次下线的8寸晶圆，属全球首片。
该成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，将尽快实现产业商用。

硅光薄膜伲酸锂光电集成晶圆用于生产超低功耗、超高带宽的高端光芯片。
湖北九峰山实验室工艺中心总经理柳俊：“技术上还确实是全球领先，在工艺和设计上应该都是比较独特的，也算是一个全新的技术。”
这一突破性成果使得铌酸锂光电集成芯片的制作和规模化提供了一条充满希望的产业化道路。

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目前，业界对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸以及6寸晶圆，这次下线的8寸晶圆，属全球首片。
该成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，将尽快实现产业商用。

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湖北九峰山实验室工艺中心总经理柳俊：“技术上还确实是全球领先，在工艺和设计上应该都是比较独特的，也算是一个全新的技术。”

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九峰山实验室以建设先进的化合物半导体研发和创新中心为愿景。以应用为导向的基础研究平台，包括：
产研协同、鼓励创新、中立开放的实验室运营机制
来自超过全球10个国家的100余名顶尖科学家及技术专家组成的科研团队
由世界领先的行业合作伙伴和全球学术网络组成的生态系统
了解我们的科研团队
以学术研究为基础的科技成果转化平台，包括：
行业一流的基础设施
丰富的基础IP交付标准
全球范围内遍布产业链上下游的行业合作伙伴
九峰山实验室建设有9000m²的洁净室，其中百级洁净室面积6000m²，每立方米空气中粒径大于等于0.3微米的粒子数量不超过100颗。

恒温恒湿:温度偏差不超过0.5度，湿度偏差不超过5%;

防震:防微震等级VC-D，水平与垂直震动小于7.5微米/秒;

纯度保障:洁净室使用高纯管线，生产材料纯度达到5N以上。

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九峰山实验室工艺中心基于8寸薄膜铌酸锂晶圆，开发与之匹配的深紫外(DUV) 光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺，成功研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。

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汉产车规级MCU（微控制单元）芯片已通过ASIL-D级别（汽车行业最高的功能安全体系认证等级）车规功能安全流程认证，这意味着这款芯片已拥有完善及合规的车规级功能安全和开发流程体系，有望成为国内最早量产ASIL-D级别全国产化车规级MCU芯片。

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湖北九峰山实验室工艺中心总经理柳俊：
“技术上还确实是全球领先，
在工艺和设计上应该都是比较独特的，
也算是一个全新的技术。”

这一突破性成果使得铌酸锂光电集成芯片的制作和规模化提供了一条充满希望的产业化道路。